LED產品中最核心的發光芯片屬于半導體行業，國內目前最大屬于三安光電。那這個至關國家核心技術的芯片包含哪些信息？它的一些基本特點又是哪些呢？我們一起來了解下。
芯片大致生產工藝流程:減薄----蒸發----光刻----切割-----測試。這幾個主要工序又包含多達幾十個小工序，每個工序設備工藝又極其復雜和精密。我們簡略的講述下GaN的生產流程。
首先在襯低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，這個過程主要是在金屬有機化學氣相沉積外延片爐(MOCVD)中完成的。常用的襯底主要有藍寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。
然后是對LED PN結的兩個電極進行加工，電極加工也是制作LED芯片的關鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨；然后對LED毛片進行劃片、測試和分選，就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不夠乾凈，蒸鍍系統不正常，會導致蒸鍍出來的金屬層（蝕刻后的電極）會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。
芯片在前段工藝中，各項工藝如清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨等作業都必須使用鑷子及等，會存在有芯片電極刮傷情形發生。
那芯片的大致結構是什么樣呢？簡圖如下：
這里對芯片做一個簡略的說明:
1.芯片基本結構由焊墊,P檄,N檄及基座四部分組成.其中發光部分為P檄和N檄的接面(即PN結區域).2.焊墊材質一般為鋁墊或金墊.3.基座底部一般為凹凸不平且刻金.4.芯片尺寸因供貨商而異.
芯片構成按元素的分類有三種:二元,三元和四元。這里的幾元主要講述的是構成芯片的元素是幾種。如果是2種元素就是二元，三種元素就是三元。我們列舉下常用的二元 三元 四元芯片種類。芯片在早期和現在的臺資廠芯片大都還是二三元芯片居多，而國內的芯片主要都是四元芯片，四元芯片在亮度和單價方面要遠遠優于二三元。
二元:GaN,GaP。常用芯片:C430-CB290-E1000,ED-011YGU,ED-013YGU,ED-010RN,ED-011RD等。三元:InGan,GaAIAS,GaASP。常用芯片:C470-CB290-E1000, C505-CB290-E1000,C512-CB290-E1000， C525-UB230-E1000等。四元:AlGaInP常用芯片:ES-CAYL512,ES-CASO512,ES-CAHR512,ES-CASR512，UED-712SYS-MV,ES-CAYO512,UED-712UR-V,UED-712SO-V等。
芯片主要性能指針:Vf,Iv,Wd(1) Vf: 影響不同區域芯片的Vf因素有:a. 蒸發材料時的不均勻分布b. 退火溫度的不均勻(2) Iv: 影響因素見發光效率(3) Wd: 影響為:材料及配比(4) Vf與Wd的關系式:Wd=1240/Vf(nm)注:藍色激活層能帶為2.7v.,但受摻Si的影響及墊檄金屬的接觸導致20mA下,正面電壓為3.8v,只要改善四件結構和摻雜水平,就可獲低于3.0v的正面電壓.目前生產的藍光翠綠光芯片的電壓部分已低于2.8v，此點主要為芯片廠家為提高內量子發光效率，降低材料阻值，讓電流分布的更均勻而做的降低電壓的改進。
